一种清洁头实用新型专利
申请号：cn202022372637.7
loc分类号:a47l11/40
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用于小线宽和下降的线宽的jfet的可扩展工艺和结构专利查询|发明专利查询-尊龙凯时网址
发明专利无效专利
- 申请号：cn200780021856.5
- ipc分类号：
- 申请日期：2007-06-11
- 申请人：帝斯曼方案公司
著录项信息
| 专利名称 | |||
| 申请号 | cn200780021856.5 | 申请日期 | 2007-06-11 |
| 法律状态 | 权利终止 | 申报国家 | 中国 |
| 公开/公告日 | 2009-06-24 | 公开/公告号 | cn101467261 |
| 优先权 | 暂无 | 优先权号 | 暂无 |
| 主分类号 |
?
| ipc分类号 | 查看分类表> |
| 申请人 | 申请人地址 |
变更
专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效 | |
| 权利人 | 三重富士通半导体股份有限公司 | 当前权利人 | |
| 发明人 | 玛杜胡卡·沃拉;阿首克·库马尔·卡泊尔 | ||
| 代理机构 | 代理人 | 肖善强;南霆 | |
摘要
一种用于形成具有45纳米或更小线宽的常闭型jfet的可扩展器件结构和工艺。通过在衬底上形成一层厚度小于1000埃优选地为500埃或更小的氧化物而形成到源极区域、漏极区域和栅极区域的接触。在氧化物上形成氮化层，并且蚀刻用于源极、漏极和栅极接触的孔。然后沉积一层多晶硅从而填充所述孔，并且所述多晶硅被抛光到使其与氮化层平齐。然后向多晶硅接触注入所需要的晶体管的沟道类型所需要的杂质，并且所述杂质被置入到半导体衬底之下，从而形成源极区域、漏极区域和栅极区域。
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